高通5G行动芯片将由三星代工
发布时间：2026-02-22
爽报 YesDaily.COM
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高通（Qualcomm）和三星电子今天联合宣布，双方将在晶圆代工业务方面扩大合作，包括高通下一代5G行动芯片将采用三星7奈米LPP极紫外光（EUV）制程。三星在韩国华城的晶圆新厂明（23）日动土，将于明年下半年开始量产，以追赶台积电的晶圆事业发展。
高通与三星指出，透过7奈米LPP极紫外光制程，高通的骁龙（Snapdragon）5G 芯片组可减少占位空间，让OEM 厂有更多使用空间来增加电池容量或做薄型化设计；此外，结合更先进芯片设计，将可明显增进电池续航力。
三星7奈米制程首度导入极紫外光微影技术，预期可借此突破摩尔定律（Moore's Law）。对照10奈米FinFET （鳍式场效晶体管）制程，三星7奈米LPP极紫外光制程工序较少、良率较高，且效能提高一成，耗电减少最多35%。
另外，三星7奈米厂本周五将动土，预计最快明年量产，但预料应该赶不上当年度Galaxy S10 与Note 10的上市时程。
对于高通5G行动芯片有意采用三星7奈米LPP极紫外光制程生产，法人表示，台积电7奈米制程今年第2季便将量产出货，相较三星7奈米制程明年才可望量产，台积电在7奈米制程仍居领先地位。
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高通和三星周四宣布扩大在晶圆代工业务方面的合作，高通下一代 5G 行动芯片将采用三星7奈米LPP极紫外光（EUV）制。（法新社）
