调研：首季全球行动内存产值84.35亿美元再创新高
根据TrendForce（集邦科技）内存储存研究（DRAMeXchange）调查显示，去年下半年智能手机的新机并未带来换机效应，因此第4季中提早进入淡季。在历经3个月的库存水位调节后，今年2月底重启拉货动能，其中旗舰新机大容量内存需求加上平均单价上涨影响，全球行动式内存产值来到84.35亿美元，较上1季提升约5.3%，一反以往首季衰退而再度刷新历史记录。
DRAMeXchange指出，展望第2季，尽管合约价格涨幅趋缓，但受惠中国4大品牌华为、小米、OPPO、vivo的需求持续看旺，以及Android阵营、苹果阵营旗舰新机主流搭载容量上升的影响，预估第2季行动式内存总产值仍有机会较第1季成长。
DRAMeXchange指出，以个别供应商的营收表现来看，三星作为全球第1大的DRAM供应商，最先受到中国发改委的关注，第1季及第2季的报价都因而较过去几季收敛。但三星另谋出路，透过积极行销大容量内存并且结合自家先进奈米制程技术，成功取得多数的大容量订单，交出第1季营收47.66亿美元的亮眼成绩。制程进度上，三星的行动式内存几乎已全采18nm制程，仅少数LPDDR3 eMCP组合还有微量供应20nm产品。
SK海力士虽受惠第1季合约价格的上扬，但在新制程18nm初期良率不稳、产能不足的影响下，第1季营收仅季增2.2%。预估18nm产品（包含分离式以及eMCP）要到第3季才会普及，全年新制程渗透率恐低于10%。
美光集团第1季行动式内存营收达14.08亿美元，较上1季成长10.2%，成长幅度居3大主流供应商之冠，而在台湾美光晶圆科技（原华亚科）目前仍以20nm为主。其行动式内存产品规划也改以LPDDR4系列为主流产品，预估全年占比将过半。
台系厂商部分，南亚科受惠IDH厂因成本（BOM cost）考量改采分离式（discrete DRAM+ discrete Flash）取代eMCP，带动LPDDR3 4Gb出货增加，营收达9600万美元，较上1季成长19.1%。未来南亚科将持续提高20nm占比，以增加获利空间。华邦第1季由于产品应用范围较小，需求起伏不大，第1季营收为4400万美元，较上1季成长1.2%，表现平稳。
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首季全球行动内存产值84.35亿美元，再创新高。（资料照）
