摩根士丹利指出，因3大厂库存水位高达近3到5个月之多，需求仍不确定，内存供需存在“空前鸿沟”，预估日韩冲突将不会对价格带来长期影响。（记者洪友芳摄）
日韩贸易战引发DRAM、储存闪存（NAND Flash）现货价持续上涨，摩根士丹利指出，因3大厂库存水位高达近3到5个月之多，需求仍不确定，内存供需存在“空前鸿沟”，预估日韩冲突将不会对价格带来长期影响。
7月4日日本对3项半导体、面板所需原料实施出口管制，需要申请许可才能输往韩国。据了解，管制实施以来，日商对三星或SK海力士的出口申请，均未获日本-核准。韩国三星、SK海力士在内存市占率逾7成，引发业界疑虑生产恐断链，带动价格上涨。
摩根士丹利表示，内存问题之一是库存水位仍高。数据显示，美光库存达151天，比过去5年平均值高逾60%。三星库存水位为83 天、SK海力士为105天，均远高于去年同期。
另1问题是需求仍不确定， 摩根士丹利指出，第1季云端服务商的需求大减，第2季也持续。内存供需存在“空前鸿沟”，预估将会持续压抑该产业，日韩冲突不会对DRAM价格带来长期影响，DRAM现货价涨幅也难以持续。
TrendForce内存储存研究（DRAMeXchange）也指出，目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出货，仅是申请流程延长，短期结构性供需反转的可能性低。近期虽传现货报价上涨，但现货市场占整体DRAM市场仅不到10%水准，中长期产业的供需态势仍需关注占比超过9成的合约市场。
TrendForce分析指出，DRAM价格已历经连续3个季度快速下滑，下游模组厂的库存水位普遍偏低，当前确实有观察到部分模组厂利用该原物料事件，开出上扬的价格或表示将停止生产。
目前整体终端需求仍很疲弱，DRAM供应商的库存水准普遍高于3个月，导致第3季PC、服务器内存及行动式内存的合约价仍持续走跌，暂时未见反转向上的迹象。DRAM市况受此原物料事件而出现结构性供需反转的可能性低。
NAND Flash市场行情受到日本材料出口审查趋严，东芝停电事件的影响，预计7月起各供应商报价将浮现涨势，但考量供应商普遍备有2到3个月的库存水位，TrendForce认为，NAND Flash价格短期将出现上扬，但长期仍有跌价压力。
