消息人士透露，在中国官方全力扶植下，紫光集团积极冲刺DRAM自主生产，内部已计划未来10年投资高达人民币8000亿元（约1137亿美元），全力推动DRAM量产，堪称业界最大手笔，牵动全球DRAM市场版图与供给状况。
紫光集团DRAM 事业群首席执行官高启全日前返台过中秋节时接受采访时表示，紫光集团决定自主研发DRAM，且大基金和重庆产业基金都会投资，初期研发中心将设在武汉，待研发有了成果才会在重庆设厂生产。
他强调，人才是最大的挑战。他坦承正建立研发部队，希望五到十年能看到研发成果。
高启全不愿透露太多细节，包括新公司何时成立、研发阵容和投资金额等。不过近期他积极奔走台、日、韩等地，似乎网罗人才对象包括日、韩及台湾。
高启全表示，紫光集团未来投入DRAM领域，也会走先前开发储存型闪存（NAND Flash）自主研发模式，只是投入DRAM领域，目前相关制程专利都掌控在三星、SK海力士和美光等三大厂手中，紫光集团要技术自主，要投入更多的人力和时间。
他表示，目前韩国和美国都不愿将技术授权给中国厂，而且美中贸易战还在浪头上，美光也不会和紫光结盟，因此中国要规避三大厂的专利，不是短时间可以达成，得靠汇集更多优秀人才，希望五到十年能看到成果。
不过稍早紫光集团宣布透过旗下紫光国芯和重庆产业基金合作，计划在重庆设厂，切入DRAM生产，规划2021年量产，凸显北京当局这次铁了心要紫光集团倾“洪荒之力”，希望三年内看到成果。
但包括南亚科和集邦科技等业界和市调机构分析，紫光集团虽早有旗下 IC 设计公司紫光国微具有 DRAM 相关产品的研发实力，但制程开发上至今仍未有合作对象，如果自主开发，至少需要三到五年的研发时间，即使2021年工厂完工甚至进入小批量投片，但要达到一定的经济规模，仍需要更长的时间。
•紫光高薪大挖角 台厂警戒
紫光集团强势进军DRAM产业，在启动建立研发中心、并于重庆新建12吋厂计划之际，也祭出高薪向全球DRAM人才招手，台湾DRAM大厂南亚科已有多名研发人员投效紫光集团。目前相关挖角行动仍持续进行当中，“DRAM人才西进”议题，近期引起业界热议。
业界人士透露，紫光集团这次锁定日、韩及台湾DRAM业人才，现阶段以研发人员为主，以因应生产前期研发需求，借此缩短学习曲线。紫光集团这股吸才力道，不亚于四年前该集团投入闪存和合肥长鑫投入DRAM，已引起全球半导体产业震撼，也让台厂高度警戒。
据了解，紫光集团也密集接触原尔必达团队，该团队在美光并购尔必达后，有不少人离职，且目前在职者也面临文化融合等问题，让紫光集团更有机会接收，不过，紫光集团碍于保护这些人的工作权 ，挖角动作目前刻意低调进行当中。
由于美光已向中科管理局提出逾新台币600亿元（约19亿美元）的DRAM扩建计划，将在台中后里厂旁兴建A3和A5二座新厂，导入最新制程并增产DRAM，对人才需求也相当大，紫光集团近期大规模挖角行动，也让DRAM业界掀起新一波人才争夺战。
业界分析，这次紫光集团决定大举切入DRAM领域，势必要借由人才优势，缩短学习曲线，目前已全力锁定挖角具有DRAM研发能力的制程研发人员，并提出薪酬条件比台湾高数倍的诱因，要抢南亚科等台湾DRAM厂人才。
业界人士表示，美光收购尔必达、华亚科后，将全球闪存、DRAM都朝单一大厂区概念发展，人员相对精简许多，预料有不少人员会投效紫光集团。
