中国第一家本土DRAM供应商长鑫存储技术公司（CXMT）20日宣布投产，与国际主流DRAM产品同步的10奈米DDR4 DRAM首度亮相，一期设计产能估计每月达12万片晶圆。
财新网援引长鑫存储首席执行官朱一明表示，10奈米DDR4 DRAM 已通过国内外许多大客户验证，今年底交付；同时，也预告另一款提供行动装置使用的低功耗产品也即将量产。
中国证券报报导，朱一明曾在今年5月的GSA Memory 论坛首次发布，该公司 DRAM 技术授权，来自已破产的德国内存大厂奇梦达，目前已累积1,000多件DRAM相关技术，是推动境内自主研发 DRAM技术水平的重要关键。长鑫存储过去专门生产行动DRAM，如今自行设计的DRAM能投入笔电、电动车及数据服务器等应用。
中新社报导，2018年中国芯片进口额超过3,000亿美元，光DRAM就占其中二成。清华大学微电子研究所所长魏少军表示，中国是DRAM最大应用市场，却始终没有掌握自主产能，长鑫推出的10奈米DDR4 DRAM 为中国实现芯片量产技术突破，目标朝向设计与生产一体化。
研究机构 Trendforce 日前预计，2019年第3季，DRAM价格将暴跌15%，第4季更将下跌10%，芯片市场可能达到需求预期。长鑫存储内存芯片自主制造专案，于2016年5月由合肥市政府旗下投资平台合肥产投与细分内存国产领军企业兆易创新共同出资组建。
