英特磊IET-KY第3季合并营收新台币1.83亿元，年增9.7%，季增8.7%，EPS 0.58元，前3季累计EPS 1.5元，已超过去年全年1.42元水准。

英特磊第3季产品营收比重，砷化镓占49.3%，磷化铟占36.8%，锑化镓及其他占13.9%。英特磊同步公布10月营收6732万元，较9月增加16%。

英特磊总经理高永中表示，砷化镓部分，以汽车防撞雷达及高频应用的pHEMT芯片仍占营收主力，同时取得大厂新的RF高频pHEMT量产订单，期望第4季开始稳定出货，贡献营收。高速VCSEL磊芯片量产订单亦稳定出货，并持续与客户共同开发其他波长及用途VCSEL。

磷化铟部分，高永中表示，5G相关HBT，PIN磊芯片定期量产订单已到位，将于新厂扩增生产机台认证，以灵活调度产能，另将与客户进一步开发磷化铟及相关锑化镓生物感测激光芯片，可望带来不错的营运动能。

至于锑化镓部分，高永中指出，今年锑化镓红外磊芯片国内外订单稳定增加，整体营收已超越去年，预计明年应可取得国防量产订单。未来准备进入GaN磊芯片市场。

展望明年，高永中，英特磊主要成长动能将来自5G相关高频高速及通讯相关芯片，高速VCSEL磊芯片，以及锑化镓红外磊芯片。