联电(2303)今(20)日表示，力旺电子一次可编程(OTP)内存硅智财NeoFuse已成功导入联电28奈米高压(HV)制程，强攻有机发光二极管(OLED)市场，关键客户已经完成设计定案(Tape Out)并准备量产。
联电硅智财研发暨设计支援处处长林子惠表示，力旺NeoFuse硅智财与联电28奈米高压制程的合作，使双方的客户得以客制化IC以符合OLED市场的高规需求。他补充，不管是之前的55奈米、40奈米到现在的28奈米高压制程，联电与力旺的合作成果都是非常正面的，客户在各种显示器应用市场大有斩获，其中包括OLED市场。

高阶手机配备OLED显示器已然成为趋势，对小尺寸显示器驱动芯片(SDDI)效能要求更高，在制程平台上，OLED关键客户逐渐从55奈米或40奈米往更先进的28奈米高压制程靠拢28奈米高压制程可使高效能显示器引擎的复杂运算能力发挥最大功能，提供OLED显示器驱动芯片更快的资料存取速度，更高容量的静态随机存取内存(SRAM)及更好的功耗，同时达到高清与省电的目的。
联电在2019年的小尺寸显示器驱动芯片(SDDI)量产晶圆出货量为全球之冠，其28奈米后闸式(Gate-Last)HKMG制程，可以提升行动装置的电池寿命，以此为基础，其28奈米高压制程提供业界最小的静态随机存取内存(SRAM)记忆单位(Bit-cell)以减少芯片整体面积。