日韩贸易战，引发内存喊涨效应，内存景气是否提早翻多，还待观察。
（记者洪友芳摄）
日本对韩国实施限制三项电子关键材料出口，引起后续材料恐短缺疑虑，激励DRAM与NAND Flash现货价应声上涨，带动南亚科（2408）、旺宏（2337）、华邦电（2344）等内存族群昨股价带量上涨，这是内存史上第一次因贸易战引发价格看涨，但内存景气是否提早翻多还有待观察。
内存模组大厂威刚（3260）董事长陈立白表示，日韩贸易战牵动内存价格上涨，这种情况为史上第一次。1993年间，日本住友化学曾爆发环氧树脂厂爆炸、造成封装材料短缺，意外事件牵动韩国、日本、美国与台湾大厂DRAM价格大涨。
至于此次日本对韩国实施限制三项电子关键材料出口，业界传出，龙头大厂三星评估对上游材料料源还无法明确掌握，已对现货市场停止出货；美光近两天也已停止报价。陈立白原预估今年第三季DRAM可望因旺季出现现货价小涨，明年才可能大涨，但受到日韩贸易战冲击，他昨改口说，“7月提早起涨，8、9月也都看涨”。
业界看法分歧
但业界有的持保守看法。因内存市况供过于求，加上三星电子副会长李在镕亲自赴日协商材料供货也传出有解，影响DRAM现货价昨仅出现小涨，内存后续涨价效应还有待观察。
南亚科总经理李培瑛日前也指出，DRAM三大供应商库存仍偏高，预估第三季逢旺季到来，整体需求会增加，但因消化库存，合约价格将续跌，不过跌势会缩小。对于日韩贸易战，李培瑛说，到底会是短期或可能长期纷争还需观察，未来几周是关键。一位供应链业者表示，上半年因美中贸易大战，内存价格大跌，最近只能说止跌，回升还要看后续发展而定。
内存厂旺宏昨价量齐扬，股价大涨近9%，收28.95元创波段高点，成交量逾20万张。旺宏预计7月25日举行法说会，公布第二季财报与第三季展望。
