大陆紫光集团加速内存布局又有新进度。紫光2日宣布，旗下长江存储公司已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D 储存型闪存（NAND Flash），这是大陆厂商首度具有相关NAND芯片量产能力，意味红色供应链在NAND芯片领域技术更上一层楼。
NAND芯片被广泛应用于固态硬盘（SSD）、记忆卡、嵌入式内存等应用，是关键电子零组件，技术层次以三星、东芝、SK海力士等指标厂最为领先，台湾则有旺宏、华邦电等业者朝中低阶领域切入。
这是紫光继日前大动作宣布投资12吋晶圆厂生产DRAM之后，又一在内存领域的重大突破。业界认为，长江存储技术层次虽仍不及三星等指标厂，但仍将对旺宏、华邦电等台厂带来压力。
台厂密切关注紫光动态，同时积极强化技术能力。以旺宏为例，内部已规划将NAND Flash由36奈米全面提升至19奈米，目前已在客户端送样认证，预计第3季起量产，并开始贡献营收。至于3D NAND芯片方面，预计2021年完成192层3D NAND芯片产品开发，初步规划以三层式（TLC）规格产品切入。
长江存储联席首席技术官、技术研发中心高级副总裁程卫华表示，随着5G、AI和超大规模数据中心时代的到来，闪存市场的需求将持续增长，长江存储64层3D NAND芯片量产，将为全球内存市场健康发展注入新动力。
他并说明此次采用“Xtacking ”架构，是指可在两片独立的晶圆上，分别加工周边电路和储存单元，这样有利于选择更先进的制造技术，而且当两片晶圆各自完工后，Xtacking 技术只需一个处理步骤，就可透过数十亿根垂直互联通道（VIA）将两片晶圆结合。
根据集邦科技最新调查，三星2018年NAND Flash销售额为 221.9 亿美元，全球市占率达35%居冠。就目前的生产技术来看，三星、东芝目前都已经在量产96层堆叠的 3D NAND芯片，SK海力士甚至要进一步生产128层堆叠产品。业界认为，长江存储顺利量产64层芯片，意味进一步拉近与一线大厂的差距。
